全书共分17章，包括兴奋剂基础理论铌酸锂晶体、应用基础理论和铌酸锂晶体的应用研究。应该是掺镁铌酸锂，铌酸锂晶体光折变非线性光学材料介绍:铌酸锂晶体介绍了用提拉法和顶部籽晶溶液法生长相同组分和近化学计量比掺杂的铌酸锂晶体并研究其晶体生长过程、缺陷结构、抗光损伤性、光学性质、光折变性质和全息性。

非线性光学晶体因为波长转换可以开关。存储器等许多部件的功能作为光计算的基本部件正在引起关注。利用非线性光学晶体的倍频、和频、差频、光参量放大、多光子吸收等非线性过程，可以获得与入射光频率不同的激光，从而达到光频转换的目的。这些晶体广泛应用于激光频率转换、四波混频、光束控制、图像放大、光信息处理、光存储、光纤通信、水下通信、激光对抗和核聚变等领域。

非线性光学晶体是一种重要的光学晶体材料，可以对激光束进行调制、幅度调制、偏置调制和相位调制，也是激光器中的重要材料。随着激光技术在工业、农业、军事、医学等领域的广泛应用，新型非线性光学晶体的开发也成为国际光电科技领域和新材料科技领域的前沿和热点。20世纪60年代，贝尔实验室发现了铌酸锂晶体(LiNbO33)，但由于其严重的光折变，这种晶体永远无法在更高功率的激光器中用作倍频器件。

国内生产铌酸锂薄膜的公司有济南郑经电子科技有限公司、上海新思聚合半导体有限公司、厦门韦伯新材料有限公司和天通控股有限公司..1.济南郑经电子科技有限公司:成立于2010年，致力于纳微米厚度的光电和压电单晶薄膜材料的工业化生产。在国际上率先开发并产业化厚度为300至900纳米的铌酸锂单晶薄膜材料。国内外许多优秀的薄膜铌酸锂研究成果都是基于其圆片产品。

3.厦门韦伯新材料有限公司:1990年在香港注册，产品业务包括GaNWafer、SiCWafer、GaAsWafer、化合物半导体、GermaniumWafer、CdZnTeWafer、SiliconWafer、LNOIwafer。

AA根据铌酸锂的化学式LiNbO3，该物质由三种元素组成，而氧化物仅由两种元素组成；因此，A是不正确的；b、根据铌酸锂的化学式LiNbO3，铌酸锂由铌、锂和氧组成；因此，b是正确的；C .铌酸锂含有铌和锂两种金属元素，所以C是正确的。D .根据铌酸锂的化学式和正负化合价代数和为0的原理，若铌的化合价为X，则可得1 x (2)×30，X ^ 5，所以D是正确的。所以，一个评论:此题主要考查化学式的含义，可以根据化学式的组成和化合价原理来回答；

LiNbO3是铌、锂和氧的化合物。其单晶是光波导、移动电话、压电传感器、光调制器和各种其他线性和非线性光学应用的重要材料。铌酸锂晶体是应用最广泛的新型无机材料之一。它是一种良好的压电换能器、铁电材料和电光材料。铌酸锂作为一种电光材料，在光通信中起着光调制的作用。铌酸锂可用于电光调制器、滤波器、超声换能器、太赫兹相关器件等。

LiNbO3 _ 3晶体是应用最广泛的新型无机材料之一。它是一种良好的压电换能器、铁电材料、电光材料、非线性光学材料和表面波基质材料。铌酸锂作为一种电光材料，在光通信中起着光调制的作用。Xカット是Xcut，也就是XcutLiNbO3，应该是掺镁铌酸锂。这是有区别的。铌酸锂薄膜的厚度为几百纳米，薄膜层下面是二氧化硅和硅衬底或其他衬底的埋层。

光折变非线性光学材料:铌酸锂晶体本文介绍了采用提拉法和顶部籽晶溶液法生长相同组分和近化学计量比掺杂的铌酸锂晶体并研究了其晶体生长过程、缺陷结构、抗光损伤能力、光学性能、光折变性能、全息存储性能和倍频性能，介绍了其大容量。全书共分17章，包括兴奋剂基础理论铌酸锂晶体、应用基础理论和铌酸锂晶体的应用研究。